汽车用三级碳化硅MOSFET
更新时间：2019-06-06
汽车用三级碳化硅MOSFET
Rohm的AEC-Q 101兼容MOSFET采用沟槽栅结构
罗姆新增12个汽车级SiC MOSFET，为车载充电器和DC/DC变换器提供高可靠性。
近年来，随着环保意识的增强和燃料成本的不断上涨，越来越多的汽车制造商开始提供电动汽车。然而，虽然电动汽车越来越普及，但其相对较短的驾驶距离仍然存在问题。为了提高他们的驾驶距离，电池正趋向于更大的电池容量和更短的充电时间。这要求高功率和高效率的船上充电器，如11千瓦和22千瓦，导致更多的采用SiC MOSFET。此外，更高的电压电池(800 V)要求功率器件具有低损耗和较高的耐压。
为了满足这些需求，ROHM在其AEC-Q 101合格MOSFET系列中增加了12种型号，这些MOSFET采用了沟槽闸门结构。其结果是一个庞大的投资组合，可在650 V和1200 V变体。
特征
符合AEC-Q 101标准
650 VDS或1200 VDS
抗性：17mΩ到160 mΩ(Typ.)
符合RoHS标准
